مقاله تیریستور یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n

مقاله تیریستور یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n

تیریستور یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n
بخشی از مقاله
تیریستور یک وسیله نیمه هادی چهار لایه سه اتصالی با سه خروجی است و از لایه های نوع p و n سیلیکونی که به طور متناوب قرار گرفته اند ساخته شده اند .. ناحیه p انتهایی آند ، ناحیه n انتهای کاتد و ناحیه p داخلی دریچه یا گیت است . آند از طریق مدار به طور سری به کاتد وصل می شود . این وسیله اساساً یک کلید است و همواره تا زمانی که به پایانه های آند و دریچه ولتاژ مثبت مناسبی به کاتد اعمال نشده است در حالت قطع (حالت ولتاژ مسدود کننده ) باقی می ماند و امپدانس بینهایتی از خود نشان خواهد داد . در حالت وصل و عبور جریان بدون احتیاج به علامت (یا ولتاژ) بیشتری روی دریچه به عبور جریان ادامه خواهد داد . در این حالت به طور ایده آل هیچ امپدانسی در مسیر جریان از خود نشان نمی دهد . برای قطع کلید و یا برگرداندن تیریستور به حالت خاموشی بایستی روی دریچه علامت و یا ولتاژی نباشد و جریان در مسیر آند به کاتد به صفر تقلیل یابد . تیریستور عبور جریان را فقط در یک جهت امکان پذیر می سازد .

اگر به پایانه های تیریستور ولتاژ بایاس خارجی اعمال نشود ، حاملهای اکثریت در هر لایه تا زمانی که ولتاژ الکتروستاتیکی داخلی به وجود آمده از انتشار بیشتر حاملها جلوگیری کند ، منتشر می شوند . اما بعضی از حاملهای اکثریت انرژی کافی جهت عبور از سد تولید شده توسط میدان الکتریکی ترمزکن هر اتصال را دارد . این حاملها پس از عبور ، تبدیل به حاملهای اقلیت می شوند و می توانند با حاملهای اکثریت ترکیب شوند . حاملهای اقلیت هر لایه نیز می توانند توسط میدان الکتریکی ثابتی در هر یک از اتصالها شتابدار شوند ، ولی چون در این حالت (از خارج ولتاژی اعمال نمی شود) مدار خارجی وجود ندارد مجموع جریانهای حاملهای اقلیت و اکثریت بایستی صفر شود .

فهرست مطالب:
۱-۱-تیریستور (یا یکسو کننده قابل کنترل p-n-p-n )
(الف) مدلهای دیودی تیریستور
(ب)مدل دو ترانزیستوری تیریستور
۱-۲-مشخصات تیریستور
۱-۲-۱-بایاس معکوس تیریستور (کاتد نسبت به آند مثبت)
۱-۳-۲-تیریستور بایاس مستقیم و مسدود (آند نسبت به کاتد مثبت)
۱-۲-۳-تیریستور بایاس مستقیم و هدایت
(الف) روشن کردن توسط نور
(ب) روشن کردن توسط علائم الکتریکی اعمال شده به دریچه :
(پ) روشن کردن با ولتاژ شکست
(ت) روشن کردن
۱-۲-۴-خاموش شدن تیریستور
الف) جابجایی طبیعی
ب)خاموش یا بایاس معکوس :
(الف) خود جابه جایی توسط مدار تشدید
(ب) خاموش کردن تیریستور توسط مدار تشدید کمکی
(پ)خاموش کردن تیریستور توسط خازن موازی
(ت)خاموش کردن تیریستور توسط خازن سری
(پ) خاموشی دریچه
۱-۲-۵-زمان خاموشی تیریستور
۱-۲-۶-مدارهای محافظ گیت :
۱-۲-۷-حفاظت در برابر :
۱-۲-۸-حفاظت در برابر :
۱-۳-مشخصات تیریستور BT151 :
۲-۱-بلوک دیاگرام کلی مدار
۲-۲-تفاوتهای مدار عملی با مدار شبیه سازی شده :
۲-۳-تحلیل و شبیه سازی مدار توسط شبیه ساز Circuitmaker :
۲-۳-۱-طبقه ترانس کاهنده :
۲-۳-۲-طبقه آشکارساز عبور از صفر :
۲-۳-۳-طبقه تولید RAMP :
۲-۳-۴-طبقه Zero-span :
۲-۳-۵-طبقه مقایسه گر ( ) و مشتق گیر :
۲-۳-۶-طبقه تقویب جریان و ایزولاسیون :
۲-۴-مدار عملی ساخته شده همراه با نرم افزار :
۲-۴-۱-طبقه D/A :
۲-۴-۲-نرم افزار میکرو


این فایل با کیفیت عالی آماده خرید اینترنتی میباشد. بلافاصله پس از خرید، دکمه دانلود ظاهر خواهد شد. فایل به ایمیل شما نیز ارسال خواهد گردید.


راهنمای خرید:

  • لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  • همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  • ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  • در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.